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簡要描述：麥科信MICSIG OIP100B SigOFIT光隔離探頭帶寬：DC-500MHz共模電壓： 85kVpk直流增益精度：1%共模抑制比：高達(dá)180dB基于SigOFIT™ 技術(shù)的光隔離探頭，擁有的共模抑制比和隔離電壓，在其帶寬范圍內(nèi)洞見信號的全部真相，是判定其他 電壓探頭所測信號真實(shí)性的裁判。
更新時間：2025-07-09
產(chǎn)品型號： OIP200B
所屬分類：麥科信示波器
訪問量：921
麥科信MICSIG OIP100B SigOFIT光隔離探頭
麥科信MICSIG OIP B系列SigOFIT光隔離探頭
帶寬：DC-500MHz
共模電壓： 85kVpk
直流增益精度：1%
共模抑制比：高達(dá)180dB
產(chǎn)品概述：
基于SigOFIT™ 技術(shù)的光隔離探頭，擁有的共模抑制比和隔離電壓，在其帶寬范圍內(nèi)洞見信號的全部真相，
是判定其他 電壓探頭所測信號真實(shí)性的裁判。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
最真實(shí)的信號呈現(xiàn)
SigOFIT光隔離探頭具有的共模抑制比，在100MHz時CMRR高達(dá)128dB、在500MHz時CMRR仍然高達(dá)114dB，是判定其他電壓探頭所測信號真實(shí)性的裁判。
測試精度與穩(wěn)定性
作為判定其他電壓探頭所測信號真實(shí)性的裁判，測試精度是SigOFIT光隔離探頭的重要指標(biāo)。SigOFIT光隔離探頭，具有幅頻特性，直流增益精度優(yōu)于1%，底噪小于1.46mVrms，預(yù)熱后零點(diǎn)漂移小于500μV。
第三代半導(dǎo)體的最佳測試手段
第三代半導(dǎo)體器件由于導(dǎo)通與關(guān)斷時間很短，信號具有更快的上升沿和下降沿，信號中具有很高能量的高頻諧波，SigOFIT光隔離探頭在最高帶寬時，仍然具有超100dB的共模抑制比，可抑制高頻共模噪聲所產(chǎn)生的震蕩，所呈現(xiàn)的信號沒有額外多余成分，是第三代半導(dǎo)體測試的工具。
測試氮化鎵（GaN）不炸管
SigOFIT光隔離探頭測試引線短且采用同軸傳輸，探頭輸入電容低至2.6pF，測試氮化鎵（GaN）十分安全。
使用靈活，高效便捷
SigOFIT光隔離探頭比傳統(tǒng)高壓差分探頭體積更小，探頭引線更精巧，使用更加靈活方便；探頭響應(yīng)快，上電即測，校準(zhǔn)時間小于1秒，可實(shí)時保證精確的信號輸出。
測試量程更寬
不同于高壓差分探頭只可以測試高壓信號，SigOFIT光隔離探頭通過匹配不同的衰減器，可以測試±1.25V至±5000V的差模信號，并實(shí)現(xiàn)滿量程輸出，達(dá)到很高的信噪比。
應(yīng)用場景
對其他電壓探頭所測結(jié)果準(zhǔn)確性、真實(shí)性存在質(zhì)疑時，SigOFIT光隔離探頭可作為最終裁判依據(jù)。
電源設(shè)備評估、電流并聯(lián)測量、EMI 和 ESD 故障排除
電機(jī)驅(qū)動設(shè)計(jì)、功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì) 、電子鎮(zhèn)流器設(shè)計(jì)
氮化鎵、碳化硅、IGBT半/全橋設(shè)備的設(shè)計(jì)與分析
高壓高帶寬測試應(yīng)用的安全隔離測試
逆變器、UPS及開關(guān)電源的測試
寬電壓、寬帶測試應(yīng)用
各種浮地測試
產(chǎn)品參數(shù)：
產(chǎn)品型號 | OIP100B | OIP200B | OIP500B |
帶 寬 | 100MHz | 200MHz | 500MHz |
上升時間 | ≤3.5ns | ≤1.75ns | ≤700ps |
共模抑制比 | DC: 180dB 100MHz: 128dB | DC: 180dB 200MHz: 122dB | DC: 180dB 500MHz: 114dB |
差模電壓 | ±5000V | ||
底 噪 | <1.46mVrms | ||
直流增益精度 | 1% | ||
共模電壓 | 85kVpk | ||
麥科信MICSIG OIP100B SigOFIT光隔離探頭
